三星计划升级中国西安工厂至286层堆叠NAND Flash闪存制程技术

据报道，三星电子正在计划将其位于中国西安的工厂升级至286层堆叠的NAND Flash闪存制程技术，以应对当前市场低迷和日益激烈的竞争状态。自2023年以来，三星一直在推动西安工厂的主流128层堆叠NAND Flash快闪记忆体制程向236层堆叠技术发展。此次升级预计将显著增强该工厂的生产能力。