Η Samsung Electronics και η SK Hynix ήταν παθητικές στην προσθήκη χωρητικότητας NAND το δεύτερο τρίμηνο

Πηγές του κλάδου αποκάλυψαν ότι τόσο η Samsung Electronics όσο και η SK Hynix παρουσίασαν παθητική τάση αύξησης της παραγωγικής ικανότητας NAND το δεύτερο τρίμηνο. Ο ρυθμός αύξησης bit NAND της Samsung Electronics μειώθηκε κατά μεσαίο μονοψήφιο ποσοστό (4-6%) σε σύγκριση με το πρώτο τρίμηνο του περασμένου έτους, ενώ ο ρυθμός ανάπτυξης bit NAND της SK Hynix μειώθηκε κατά χαμηλό μονοψήφιο (1-3%) την ίδια περίοδο.