Samsung Electronics і SK Hynix былі пасіўнымі ў павелічэнні ёмістасці NAND у другім квартале

Прамысловыя крыніцы паказалі, што і Samsung Electronics, і SK Hynix прадэманстравалі пасіўную тэндэнцыю павелічэння вытворчых магутнасцей NAND у другім квартале. Тэмпы росту разраднасці NAND Samsung Electronics знізіліся на сярэднеадназначныя лічбы (4-6%) у параўнанні з першым кварталам мінулага года, у той час як тэмпы росту разраднасці NAND SK Hynix знізіліся на нізкія адназначныя лічбы (1-3%) за той жа перыяд.