Samsung Electronics і SK Hynix були пасивними щодо збільшення ємності NAND у другому кварталі

Галузеві джерела показали, що як Samsung Electronics, так і SK Hynix продемонстрували пасивну тенденцію до збільшення виробничих потужностей NAND у другому кварталі. Швидкість зростання розрядності NAND Samsung Electronics знизилася на середні однозначні цифри (4-6%) порівняно з першим кварталом минулого року, тоді як темпи зростання розрядності NAND SK Hynix знизилися на низькі однозначні цифри (1-3%) за той самий період.