Samsung Electronics និង SK Hynix មានភាពអសកម្មក្នុងការបន្ថែមសមត្ថភាព NAND នៅក្នុងត្រីមាសទីពីរ

ប្រភពឧស្សាហកម្មបានបង្ហាញថាទាំង Samsung Electronics និង SK Hynix បានបង្ហាញនិន្នាការអកម្មក្នុងការបង្កើនសមត្ថភាពផលិត NAND នៅក្នុងត្រីមាសទីពីរ។ អត្រាកំណើនប៊ីត NAND របស់ Samsung Electronics បានធ្លាក់ចុះដោយពាក់កណ្តាលខ្ទង់តែមួយ (4-6%) បើប្រៀបធៀបទៅនឹងត្រីមាសទី 1 នៃឆ្នាំមុន ខណៈដែលអត្រាកំណើនប៊ីត NAND របស់ SK Hynix បានធ្លាក់ចុះដោយខ្ទង់តែមួយទាប (1-3%) ក្នុងរយៈពេលដូចគ្នា។