삼성전자, 평택 P4공장에 1c나노 D램 공정장비 도입

삼성전자가 평택 P4공장에 DRAM 공정장비를 도입해 1c나노 DRAM 메모리 생산라인을 구축할 준비를 하고 있는 것으로 알려졌다. HBM4 메모리의 에너지 효율 경쟁력을 향상시킨다는 목표로 생산 라인은 내년 6월부터 가동될 예정이다. 평택 P4는 4개 단계로 구분된 통합 반도체 생산센터입니다. 초기 계획 단계에서는 1단계가 NAND 플래시 생산, 2단계가 로직 파운드리, 3단계와 4단계는 DRAM 메모리 생산에 집중할 예정입니다. 현재 삼성은 P4 1단계에 DRAM 생산장비를 도입했으나, 2단계 공사는 중단한 상태다.