A Samsung Electronics planeja introduzir equipamento de processamento DRAM de 1c nm em sua fábrica Pyeongtaek P4

A Samsung Electronics está supostamente se preparando para introduzir equipamentos de processamento DRAM em sua fábrica P4 em Pyeongtaek para estabelecer uma linha de produção de memória DRAM de 1c nm. A linha de produção deverá começar a operar em junho do ano que vem, com o objetivo de melhorar a competitividade da eficiência energética da memória HBM4. Pyeongtaek P4 é um centro de produção integrado de semicondutores dividido em quatro fases. Nos estágios iniciais de planejamento, a primeira fase é a produção de flash NAND, a segunda fase é a fundição lógica, enquanto as fases três e quatro se concentrarão na produção de memória DRAM. Atualmente, a Samsung introduziu equipamentos de produção de DRAM na primeira fase do P4, mas suspendeu a construção da segunda fase.