Samsung Electronics planea introducir equipos de procesamiento DRAM de 1c nm en su planta Pyeongtaek P4

Según se informa, Samsung Electronics se está preparando para introducir equipos de procesamiento DRAM en su planta P4 en Pyeongtaek para establecer una línea de producción de memoria DRAM de 1c nm. Se espera que la línea de producción comience a operar en junio del próximo año, con el objetivo de mejorar la competitividad en eficiencia energética de la memoria HBM4. Pyeongtaek P4 es un centro de producción de semiconductores integrado dividido en cuatro fases. En las primeras etapas de planificación, la fase uno es la producción de flash NAND, la fase dos es la fundición lógica, mientras que las fases tres y cuatro se centrarán en la producción de memoria DRAM. Actualmente, Samsung ha introducido equipos de producción de DRAM en la primera fase de P4, pero ha suspendido la construcción de la segunda fase.