Samsung Electronics plangt 1c nm DRAM Veraarbechtungsausrüstung an hirer Pyeongtaek P4 Planz aféieren

Samsung Electronics bereet sech virzebereeden DRAM Veraarbechtungsausrüstung an hirer P4 Planz zu Pyeongtaek aféieren fir eng 1c nm DRAM Memory Produktiounslinn opzebauen. D'Produktiounslinn gëtt erwaart fir am Juni d'nächst Joer Operatioun ze starten, mam Zil d'Energieeffizienz Kompetitivitéit vum HBM4 Memory ze verbesseren. Pyeongtaek P4 ass en integréierten Hallefleitproduktiounszentrum a véier Phasen opgedeelt. An de fréie Planungsstadien ass Phas eent NAND Flash Produktioun, Phas zwee ass Logik Schmelz, während Phasen dräi a véier fokusséiere sech op DRAM Memory Produktioun. Momentan huet Samsung DRAM Produktiounsausrüstung an der éischter Phase vum P4 agefouert, awer huet de Bau vun der zweeter Phase suspendéiert.