Η Samsung Electronics σχεδιάζει να εισαγάγει εξοπλισμό επεξεργασίας DRAM 1c nm στο εργοστάσιό της Pyeongtaek P4

Η Samsung Electronics φέρεται να ετοιμάζεται να εισαγάγει εξοπλισμό επεξεργασίας DRAM στο εργοστάσιό της P4 στο Pyeongtaek για να δημιουργήσει μια γραμμή παραγωγής μνήμης DRAM 1c nm. Η γραμμή παραγωγής αναμένεται να ξεκινήσει τη λειτουργία της τον Ιούνιο του επόμενου έτους, με στόχο τη βελτίωση της ανταγωνιστικότητας της ενεργειακής απόδοσης της μνήμης HBM4. Το Pyeongtaek P4 είναι ένα ολοκληρωμένο κέντρο παραγωγής ημιαγωγών χωρισμένο σε τέσσερις φάσεις. Στα αρχικά στάδια σχεδιασμού, η πρώτη φάση είναι η παραγωγή φλας NAND, η δεύτερη φάση είναι η λογική χυτήριο, ενώ οι φάσεις τρίτη και τέταρτη θα επικεντρωθούν στην παραγωγή μνήμης DRAM. Επί του παρόντος, η Samsung έχει εισαγάγει εξοπλισμό παραγωγής DRAM στην πρώτη φάση του P4, αλλά έχει αναστείλει την κατασκευή της δεύτερης φάσης.