Samsung Electronics plāno savā Pyeongtaek P4 rūpnīcā ieviest 1c nm DRAM apstrādes iekārtas

Tiek ziņots, ka Samsung Electronics gatavojas ieviest DRAM apstrādes iekārtas savā P4 rūpnīcā Pjongtakā, lai izveidotu 1c nm DRAM atmiņas ražošanas līniju. Ražošanas līnijas darbību paredzēts sākt nākamā gada jūnijā ar mērķi uzlabot HBM4 atmiņas energoefektivitātes konkurētspēju. Pyeongtaek P4 ir integrēts pusvadītāju ražošanas centrs, kas sadalīts četrās fāzēs. Sākotnējā plānošanas stadijā pirmā fāze ir NAND zibatmiņas ražošana, otrā fāze ir loģiskā lietuve, savukārt trešajā un ceturtajā fāzē galvenā uzmanība tiks pievērsta DRAM atmiņas ražošanai. Šobrīd Samsung ir ieviesis DRAM ražošanas iekārtas P4 pirmajā fāzē, bet ir apturējis otrās kārtas būvniecību.