„Samsung Electronics“ savo Pyeongtaek P4 gamykloje planuoja pristatyti 1c nm DRAM apdorojimo įrangą

Pranešama, kad „Samsung Electronics“ savo P4 gamykloje Pjongtake ruošiasi pristatyti DRAM apdorojimo įrangą, kad sukurtų 1c nm DRAM atminties gamybos liniją. Tikimasi, kad gamybos linija pradės veikti kitų metų birželį, siekiant pagerinti HBM4 atminties energinio efektyvumo konkurencingumą. Pyeongtaek P4 yra integruotas puslaidininkių gamybos centras, padalintas į keturias fazes. Ankstyvajame planavimo etape pirmasis etapas yra NAND flash gamyba, antrasis etapas yra loginis liejimas, o trečiasis ir ketvirtasis etapai bus skirti DRAM atminties gamybai. Šiuo metu „Samsung“ pirmajame P4 etape pristatė DRAM gamybos įrangą, tačiau antrojo etapo statybas sustabdė.