Samsung Electronics planifikon të prezantojë pajisje të përpunimit DRAM 1c nm në fabrikën e saj Pyeongtaek P4

Samsung Electronics thuhet se po përgatitet të prezantojë pajisjet e përpunimit DRAM në fabrikën e saj P4 në Pyeongtaek për të krijuar një linjë prodhimi të memories DRAM 1c nm. Linja e prodhimit pritet të nisë funksionimin në qershor të vitit të ardhshëm, me qëllim të përmirësimit të konkurrencës së efikasitetit energjetik të memories HBM4. Pyeongtaek P4 është një qendër e integruar e prodhimit të gjysmëpërçuesve e ndarë në katër faza. Në fazat e hershme të planifikimit, faza e parë është prodhimi NAND flash, faza e dytë është fonderia logjike, ndërsa fazat tre dhe katër do të fokusohen në prodhimin e memories DRAM. Aktualisht Samsung ka prezantuar pajisjet e prodhimit DRAM në fazën e parë të P4, por ka pezulluar ndërtimin e fazës së dytë.