Samsung Electronics có kế hoạch giới thiệu thiết bị xử lý DRAM 1c nm tại nhà máy Pyeongtaek P4

Samsung Electronics được cho là đang chuẩn bị đưa thiết bị xử lý DRAM vào nhà máy P4 ở Pyeongtaek để thiết lập dây chuyền sản xuất bộ nhớ DRAM 1c nm. Dây chuyền sản xuất dự kiến ​​sẽ đi vào hoạt động vào tháng 6 năm sau, với mục tiêu nâng cao khả năng cạnh tranh về hiệu quả năng lượng của bộ nhớ HBM4. Pyeongtaek P4 là trung tâm sản xuất chất bán dẫn tích hợp được chia thành bốn giai đoạn. Trong giai đoạn lập kế hoạch ban đầu, giai đoạn một là sản xuất flash NAND, giai đoạn hai là xưởng đúc logic, trong khi giai đoạn ba và bốn sẽ tập trung vào sản xuất bộ nhớ DRAM. Hiện tại, Samsung đã đưa thiết bị sản xuất DRAM vào giai đoạn 1 của P4 nhưng đã tạm dừng xây dựng giai đoạn 2.