Samsung Electronics ວາງແຜນທີ່ຈະແນະນໍາອຸປະກອນປະມວນຜົນ 1c nm DRAM ຢູ່ໂຮງງານ Pyeongtaek P4 ຂອງຕົນ

Samsung Electronics ກໍາລັງກະກຽມທີ່ຈະນໍາສະເຫນີອຸປະກອນປະມວນຜົນ DRAM ຢູ່ໂຮງງານ P4 ຂອງຕົນໃນ Pyeongtaek ເພື່ອສ້າງສາຍການຜະລິດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ 1c nm DRAM. ສາຍການຜະລິດຄາດວ່າຈະເລີ່ມດໍາເນີນການໃນເດືອນມິຖຸນາປີຫນ້າ, ໂດຍມີຈຸດປະສົງເພື່ອປັບປຸງຄວາມສາມາດໃນການແຂ່ງຂັນປະສິດທິພາບພະລັງງານຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ HBM4. Pyeongtaek P4 ເປັນສູນການຜະລິດ semiconductor ປະສົມປະສານແບ່ງອອກເປັນສີ່ໄລຍະ. ໃນຂັ້ນຕອນການວາງແຜນເບື້ອງຕົ້ນ, ໄລຍະຫນຶ່ງແມ່ນການຜະລິດ NAND flash, ໄລຍະທີສອງແມ່ນການສ້າງເຫດຜົນ, ໃນຂະນະທີ່ໄລຍະສາມແລະສີ່ຈະສຸມໃສ່ການຜະລິດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ DRAM. ໃນປັດຈຸບັນ, Samsung ໄດ້ນໍາສະເຫນີອຸປະກອນການຜະລິດ DRAM ໃນໄລຍະທໍາອິດຂອງ P4, ແຕ່ໄດ້ໂຈະການກໍ່ສ້າງໄລຍະທີສອງ.