تخطط شركة سامسونج للإلكترونيات لتقديم معدات معالجة DRAM بتقنية 1c nm في مصنعها P4 في بيونجتايك

وتستعد شركة سامسونج للإلكترونيات لتقديم معدات معالجة ذاكرة DRAM في مصنعها P4 في بيونجتايك لإنشاء خط إنتاج ذاكرة DRAM بتقنية 1c nm. ومن المتوقع أن يبدأ خط الإنتاج العمل في يونيو/حزيران من العام المقبل، بهدف تحسين القدرة التنافسية لكفاءة الطاقة لذاكرة HBM4. يعد مركز بيونجتايك P4 مركزًا متكاملًا لإنتاج أشباه الموصلات وينقسم إلى أربع مراحل. في مراحل التخطيط المبكرة، المرحلة الأولى هي إنتاج فلاش NAND، والمرحلة الثانية هي مصنع المنطق، في حين ستركز المرحلتان الثالثة والرابعة على إنتاج ذاكرة DRAM. في الوقت الحالي، قدمت شركة سامسونج معدات إنتاج DRAM في المرحلة الأولى من P4، ولكنها أوقفت بناء المرحلة الثانية.