Samsung Electronics oreko plan oikuaauka haguã equipo de procesamiento DRAM 1c nm iplanta Pyeongtaek P4-pe

Ojekuaa Samsung Electronics oñembosako'iha oikuaauka haguã equipo de procesamiento DRAM iplanta P4 Pyeongtaek-pe omopyendávo línea de producción memoria DRAM 1c nm. Oñeha'ãrõ línea de producción oñepyrü operación junio oúvape, hembipotápe omohenda porãve competitividad eficiencia energética memoria HBM4. Pyeongtaek P4 ha'e peteĩ centro integrado producción semiconductor rehegua oñemboja'óva irundy fase-pe. Umi etapa planificación ñepyrũme, fase peteĩha haꞌehína producción flash NAND, fase mokõiha haꞌehína fundición lógica, fase mbohapyha ha irundyha katu oñecentráta producción memoria DRAM rehe. Ko'ágã, Samsung omoinge equipo producción DRAM peteîha fase P4, pero osuspende construcción mokõiha fase.