Ruifuxin Technology planlægger at investere 1,0-1,5 milliarder yuan i at bygge et SiC-halvleder-kraftmodulindustrialiseringsprojekt i bilindustrien

Ruifuxin Technology annoncerede, at det havde underskrevet "Strategic Cooperation Framework Agreement on Automotive-Grade SiC Semiconductor Power Module Industrialization Project" med Jiangsu Dongtai High-tech Zone den 9. Virksomheden vil investere 1-1,5 milliarder yuan for at bygge et andet R&D-center og industriel produktionsbase, dedikeret til at fremme industrialiseringen af ​​SiC-halvledereffektmoduler. Den oprindelige startkapitalinvestering på 100 millioner yuan kom fra Ruifuxin Technologys Pro-A-finansieringsrunde, og den ledende investor var Collaborative Innovation Fund.