Ruifuxin Technology planea invertir entre 1.000 y 1.500 millones de yuanes para construir un proyecto de industrialización de módulos de potencia de semiconductores de SiC de grado automotriz

Ruifuxin Technology anunció que había firmado el "Acuerdo Marco de Cooperación Estratégica sobre el Proyecto de Industrialización de Módulos de Potencia de Semiconductores de SiC de Grado Automotriz" con la Zona de Alta Tecnología de Jiangsu Dongtai el día 9. La compañía invertirá entre 1 y 1.500 millones de yuanes para construir un segundo centro de I+D y una base de producción industrial, dedicado a promover la industrialización de módulos de potencia de semiconductores de SiC. La inversión inicial de capital de 100 millones de yuanes provino de la ronda de financiación Pro-A de Ruifuxin Technology, y el inversor principal fue el Fondo de Innovación Colaborativa.