Ruifuxin Technology plangt 1,0-1,5 Milliarden Yuan ze investéieren fir en Automotive-grade SiC Halbleiter Power Modul Industrialiséierungsprojet ze bauen

Ruifuxin Technology huet ugekënnegt datt et den "Strategic Cooperation Framework Agreement on Automotive-Grade SiC Semiconductor Power Module Industrialization Project" mat Jiangsu Dongtai High-Tech Zone am 9. ënnerschriwwen huet. D'Firma wäert 1-1,5 Milliarden Yuan investéieren fir en zweeten R&D-Zentrum an industrieller Produktiounsbasis ze bauen, gewidmet fir d'Industrialiséierung vu SiC Halbleiter Power Moduler ze förderen. Déi initial Startkapitalinvestitioun vun 100 Millioune Yuan koum vum Ruifuxin Technology senger Pro-A Finanzéierungsronn, an de Lead Investisseur war de Collaborative Innovation Fund.