Ruifuxin Technology plánuje investovat 1,0-1,5 miliardy juanů do vybudování projektu industrializace SiC polovodičových výkonových modulů pro automobilový průmysl

Společnost Ruifuxin Technology oznámila, že 9. dne podepsala „Rámcovou dohodu o strategické spolupráci o projektu industrializace polovodičového napájecího modulu SiC pro automobilový průmysl“ se zónou high-tech Jiangsu Dongtai. Společnost investuje 1 až 1,5 miliardy juanů do vybudování druhého výzkumného a vývojového centra a průmyslové výrobní základny, věnované podpoře industrializace polovodičových výkonových modulů SiC. Počáteční počáteční kapitálová investice ve výši 100 milionů juanů pocházela z kola financování Pro-A společnosti Ruifuxin Technology a hlavním investorem byl Collaborative Innovation Fund.