Ruifuxin Technology วางแผนลงทุน 1,000-1,500 ล้านหยวนเพื่อสร้างโครงการอุตสาหกรรมโมดูลพลังงานเซมิคอนดักเตอร์ SiC เกรดยานยนต์

Ruifuxin Technology ได้ประกาศว่าบริษัทได้ลงนาม “ข้อตกลงกรอบความร่วมมือเชิงกลยุทธ์ว่าด้วยโครงการอุตสาหกรรมโมดูลพลังงานเซมิคอนดักเตอร์ SiC เกรดยานยนต์” ร่วมกับเขตเทคโนโลยีขั้นสูง Jiangsu Dongtai เมื่อวันที่ 9 บริษัทจะลงทุน 1,000-1,500 ล้านหยวนเพื่อสร้างศูนย์ R&D แห่งที่สองและฐานการผลิตภาคอุตสาหกรรม โดยมุ่งเน้นที่การส่งเสริมการนำโมดูลพลังงานเซมิคอนดักเตอร์ SiC มาใช้ในเชิงอุตสาหกรรม เงินลงทุนเริ่มต้นจำนวน 100 ล้านหยวนมาจากการระดมทุนรอบ Pro-A ของ Ruifuxin Technology และผู้ลงทุนหลักคือกองทุน Collaborative Innovation Fund