Ruifuxin Technology merancang untuk melabur 1.0-1.5 bilion yuan untuk membina projek perindustrian modul kuasa semikonduktor SiC gred automotif

Ruifuxin Technology mengumumkan bahawa ia telah menandatangani "Perjanjian Rangka Kerja Kerjasama Strategik mengenai Projek Perindustrian Modul Kuasa Semikonduktor SiC Gred Automotif" dengan Zon Teknologi Tinggi Jiangsu Dongtai pada 9hb. Syarikat itu akan melabur 1-1.5 bilion yuan untuk membina pusat R&D dan pangkalan pengeluaran perindustrian kedua, khusus untuk mempromosikan perindustrian modul kuasa semikonduktor SiC. Pelaburan modal permulaan sebanyak 100 juta yuan datang daripada pusingan pembiayaan Pro-A Ruifuxin Technology, dan pelabur utama ialah Dana Inovasi Kolaboratif.