Plano ng Ruifuxin Technology na mamuhunan ng 1.0-1.5 bilyon yuan para makabuo ng automotive-grade SiC semiconductor power module industrialization project

Inihayag ng Ruifuxin Technology na nilagdaan nito ang "Strategic Cooperation Framework Agreement on Automotive-Grade SiC Semiconductor Power Module Industrialization Project" kasama ang Jiangsu Dongtai High-tech Zone noong ika-9. Ang kumpanya ay mamumuhunan ng 1-1.5 bilyong yuan upang bumuo ng pangalawang sentro ng R&D at base ng produksyong pang-industriya, na nakatuon sa pagtataguyod ng industriyalisasyon ng SiC semiconductor power modules. Ang paunang pamumuhunan sa panimulang kapital na 100 milyong yuan ay nagmula sa Pro-A round ng financing ng Ruifuxin Technology, at ang nangungunang mamumuhunan ay ang Collaborative Innovation Fund.