Ruifuxin Technology გეგმავს 1.0-1.5 მილიარდი იუანის ინვესტიციას საავტომობილო კლასის SiC ნახევარგამტარული ელექტრომოდულის ინდუსტრიალიზაციის პროექტის ასაშენებლად.

Ruifuxin Technology-მ გამოაცხადა, რომ მან ხელი მოაწერა "სტრატეგიული თანამშრომლობის ჩარჩო შეთანხმებას საავტომობილო კლასის SiC ნახევარგამტარული ელექტრომოდულის ინდუსტრიალიზაციის პროექტზე" Jiangsu Dongtai მაღალტექნოლოგიურ ზონასთან მე-9 რიცხვში. კომპანია 1-1,5 მილიარდი იუანის ინვესტიციას განახორციელებს მეორე R&D ცენტრის და სამრეწველო წარმოების ბაზის ასაშენებლად, რომელიც მიეძღვნება SiC ნახევარგამტარული ელექტრომოდულების ინდუსტრიალიზაციის ხელშეწყობას. საწყისი სასტარტო კაპიტალის ინვესტიცია 100 მილიონი იუანი მოვიდა Ruifuxin Technology-ის Pro-A დაფინანსების რაუნდიდან და წამყვანი ინვესტორი იყო კოლაბორატიული ინოვაციების ფონდი.