Ruifuxin Technology oreko plan oinverti haguã 1.0-1.500 millones de yuanes omopu'ã haguã proyecto industrialización módulo de potencia semiconductor SiC grado automotriz

Ruifuxin Technology oikuaauka ofirma hague "Acuerdo Marco de Cooperación Estratégica Proyecto de Industrialización Módulo de Energía Semiconductora SiC Automotriz-Grado" Zona Alta Tecnología Jiangsu Dongtai ndive 9 ára ohasávape. Empresa oinvertíta 1-1.500 millones de yuanes omopu'ã haguã mokõiha centro de I+D ha base de producción industrial, oñededikáva omokyre'ÿvo industrialización módulo de potencia semiconductor SiC. Inversión capital oñepyrûva ñepyrû 100 millones de yuanes oúva ronda de financiamiento Pro-A Ruifuxin Technology-gui, ha inversionista principal ha'e Fondo de Innovación Colaborativa.