Zhanxin Electronics numerum novorum productorum anno 2024 mittet, cum auctionibus perficiendis signanter augendis

2025-01-22 16:11
 242
laganum officinam in Zhejiang, Zhanxin electronicis fretus induxit secundam generationem 650V gradus autocineti SiC MOSFET, tertii-generationis 1200V SiC MOSFET, 2000V SiC MOSFET et SBD et aliis productis in 2024. Anno praeterito, societas venditio perficiendi incrementum plus quam 100%, cum cumulatis traditionibus plus quam 16 decies centena millia productorum SiC MOSFET consecuta est, plus quam XVIII decies centena SiC SBD producta, et fere LX decies centena milia xxxiii coegi.