Innoscience သည် ၎င်း၏ Galium nitride (GaN) နှင့် ပတ်သက်သည့် မူပိုင်ခွင့်များကို ချိုးဖောက်မှုအတွက် ကုမ္ပဏီ ၃ ခုကို တရားစွဲဆိုထားကြောင်း ဟောင်ကောင်စတော့အိတ်ချိန်းတွင် ကြေညာခဲ့သည်။

ကမ္ဘာ့ထိပ်တန်း ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်သူ Innoscience နှင့် ၎င်း၏ လက်အောက်ခံ Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. တို့သည် Infineon Technologies (China) Co., Ltd., Infineon Technologies (Wuxi) Co., Ltd. နှင့် Suzhou Xinwoko Ltd. တို့ကို Suzhou Xinwoko Electronic Technology Co., Ltd ကုမ္ပဏီ၏ ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ် (GaN) နှင့်ပတ်သက်သည့် မူပိုင်ခွင့်နှစ်ခုကို ချိုးဖောက်ခဲ့သည်။ မူပိုင်ခွင့်နှစ်ခုသည် ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ်ပါဝါသုံးကိရိယာများနှင့် ၎င်းတို့၏ပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်းများနှင့် နိုက်ထရိတ်အခြေခံတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများနှင့် ၎င်းတို့၏ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းများနှင့် အသီးသီးသက်ဆိုင်သည်။ ကုမ္ပဏီ ၃ ခုသည် တရားဝင်ခွင့်ပြုချက်မရှိဘဲ တရုတ်ဈေးကွက်တွင် ချိုးဖောက်သည်ဟု သံသယရှိထုတ်ကုန်များကို အရောင်းမြှင့်တင်ရောင်းချခဲ့ပြီး ထို့ကြောင့် သက်ဆိုင်ရာ ဥပဒေဆိုင်ရာ တာဝန်များကို ထမ်းဆောင်သင့်ကြောင်း Innoscience မှ ပြောကြားခဲ့သည်။