Innoscience-მა ჰონგ კონგის საფონდო ბირჟაზე გამოაცხადა, რომ უჩივლა სამ კომპანიას გალიუმის ნიტრიდის (GaN) პატენტების დარღვევისთვის.

Innoscience, წამყვანი გლობალური ელექტროენერგიის ნახევარგამტარული მწარმოებელი და მისი სრულუფლებიანი შვილობილი კომპანია Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd.-მ შეიტანა სარჩელი Infineon Technologies (China) Co., Ltd., Infineon Technologies (Wuxi) Co., Ltd ჯიანგსუს პროვინციაში, მათ ადანაშაულებენ კომპანიის ორი გალიუმის ნიტრიდის (GaN) პატენტის დარღვევაში. ორი პატენტი, შესაბამისად, ეხება გალიუმის ნიტრიდის სიმძლავრის მოწყობილობებს და მათი მომზადების მეთოდებს და ნიტრიდზე დაფუძნებულ ნახევარგამტარ მოწყობილობებს და მათი წარმოების მეთოდებს. Innoscience-მა თქვა, რომ სამი კომპანია აწარმოებდა და ყიდდა საეჭვო დარღვევის პროდუქტებს ჩინეთის ბაზარზე ავტორიზაციის გარეშე და შესაბამისად უნდა ეკისრებოდათ შესაბამისი სამართლებრივი პასუხისმგებლობა.