Samsung планирует установить свой первый High-NA EUV в Хвасоне, Южная Корея, который, как ожидается, будет введен в эксплуатацию в середине 2025 года.

Сообщается, что Samsung начнет установку первой High-NA EUV в своем парке Хвасон в Южной Корее в период с четвертого квартала 2024 года по первый квартал 2025 года. Ожидается, что она будет введена в эксплуатацию в середине 2025 года и сначала будет использоваться для разработки логических процессов ниже 2 нм и передовых процессов производства чипов DRAM. Samsung также планирует сотрудничать с Lasertec, JSR, Tokyo Electron и Synopsys для создания экосистемы High-NA EUV.