Samsung သည် ၎င်း၏ ပထမဆုံး High-NA EUV ကို တောင်ကိုရီးယား၊ Hwaseong တွင် 2025 နှစ်လယ်တွင် စတင်အသုံးပြုနိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။

Samsung သည် 2024 ခုနှစ် စတုတ္ထသုံးလပတ်မှ 2025 ခုနှစ် ပထမသုံးလပတ်အထိ တောင်ကိုရီးယားရှိ ၎င်း၏ Hwaseong Park တွင် ပထမဆုံး High-NA EUV ကို စတင်တပ်ဆင်တော့မည်ဖြစ်ကြောင်း သတင်းရရှိပါသည်။ ၎င်းအား 2025 နှစ်လယ်ပိုင်းတွင် စတင်အသုံးပြုနိုင်ရန် မျှော်လင့်ထားပြီး 2nm နှင့် အဆင့်မြင့် DRAM ချစ်ပ်လုပ်ငန်းစဉ်များအောက်တွင် ယုတ္တိဗေဒဆိုင်ရာလုပ်ငန်းစဉ်များကို ပထမဆုံးအသုံးပြုမည်ဖြစ်သည်။ Samsung သည် High-NA EUV ဂေဟစနစ်ကို တည်ဆောက်ရန်အတွက် Lasertec၊ JSR၊ Tokyo Electron နှင့် Synopsys တို့နှင့်လည်း ပူးပေါင်းရန် စီစဉ်ထားသည်။