天科合達擴建碳化矽襯底產業化基地

天科合達宣布其位於北京的第三代半導體碳化矽基板產業化基地將進行第二期工程建設。該基地位於北京市大興區，預計總佔地面積將達52790.032平方米，總建築面積為105913.29平方米。項目將包括新的生產廠房、化學品庫、危廢庫、一般固廢庫、綜合大樓以及門衛等設施。此外，公司將購置新的製程設備，包括長晶及附屬、晶體加工、晶片加工等設備，並計畫成立6-8吋碳化矽基板生產線及研發中心。工程完成後，預計每年可生產約37.1萬片導電型碳化矽基板，其中包括23.6萬片6吋導電型碳化矽基板和13.5萬片8吋導電型碳化矽基板。