Tianke Heda amplía su base de industrialización de sustratos de carburo de silicio

Tianke Heda anunció que su base de industrialización de sustrato de carburo de silicio semiconductor de tercera generación en Beijing llevará a cabo la segunda fase de construcción del proyecto. La base está ubicada en el distrito de Daxing, Beijing, con un área total estimada de 52.790,032 metros cuadrados y un área total de construcción de 105.913,29 metros cuadrados. El proyecto incluirá nuevas plantas de producción, almacenes de productos químicos, almacenes de residuos peligrosos, almacenes de residuos sólidos generales, edificios integrales e instalaciones de seguridad. Además, la empresa comprará nuevos equipos de proceso, incluidos crecimiento de cristales y accesorios, procesamiento de cristales, procesamiento de obleas y otros equipos, y planea establecer una línea de producción de sustrato de carburo de silicio de 6 a 8 pulgadas y un centro de I+D. Una vez completado el proyecto, se espera producir alrededor de 371.000 sustratos conductores de carburo de silicio al año, incluidos 236.000 sustratos conductores de carburo de silicio de 6 pulgadas y 135.000 sustratos conductores de carburo de silicio de 8 pulgadas.