Tianke Heda širi bazo industrializacije substrata iz silicijevega karbida

Tianke Heda je napovedala, da bo njena baza za industrializacijo polprevodniškega substrata iz silicijevega karbida tretje generacije v Pekingu izvedla drugo fazo gradnje projekta. Baza se nahaja v okrožju Daxing v Pekingu, z ocenjeno skupno površino 52.790,032 kvadratnih metrov in skupno gradbeno površino 105.913,29 kvadratnih metrov. Projekt bo vključeval nove proizvodne obrate, kemična skladišča, skladišča nevarnih odpadkov, skladišča splošnih trdnih odpadkov, celovite zgradbe in varnostne objekte. Poleg tega bo podjetje kupilo novo procesno opremo, vključno z rastjo kristalov in dodatki, obdelavo kristalov, obdelavo rezin in drugo opremo, ter načrtuje vzpostavitev proizvodne linije za substrat iz silicijevega karbida velikosti 6-8 palcev in center za raziskave in razvoj. Po končanem projektu naj bi letno proizvedli približno 371.000 prevodnih substratov iz silicijevega karbida, vključno s 236.000 6-palčnimi prevodnimi substrati iz silicijevega karbida in 135.000 8-palčnimi prevodnimi substrati iz silicijevega karbida.