根据最新报告,山东天岳先进科技股份有限公司在碳化硅(SiC)半导体领域的专利申请量、授权量及海外布局均居中国企业首位,进一步巩固了其在国内宽禁带半导体行业的领导地位。该公司通过优化晶体生长工艺,成功解决大尺寸衬底易裂、缺陷密度高等问题,提升了衬底稳定性和可靠性,为SiC功率器件应用提供坚实支撑。
根据最新报告,山东天岳先进科技股份有限公司在碳化硅(SiC)半导体领域的专利申请量、授权量及海外布局均居中国企业首位,进一步巩固了其在国内宽禁带半导体行业的领导地位。该公司通过优化晶体生长工艺,成功解决大尺寸衬底易裂、缺陷密度高等问题,提升了衬底稳定性和可靠性,为SiC功率器件应用提供坚实支撑。