Tianyue Advanced Technology féiert am Beräich vun Siliziumkarbid Halbleiteren

Laut dem leschte Bericht klasséiert Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. als éischt ënnert de chinesesche Firmen a punkto Patentanwendungen, Autorisatiounen an iwwerséiesch Layout am Beräich vun Siliziumkarbid (SiC) Hallefleitungen, a konsolidéiert seng Leedung an der Gewalt Breetbandgap Hallefleitindustrie weider. Andeems de Kristallwachstumsprozess optiméiert, huet d'Firma erfollegräich Probleemer geléist wéi einfach Rëss vu grousser Substrate an héich Defektdicht, verbesserte Substratstabilitéit an Zouverlässegkeet, an eng zolidd Ënnerstëtzung fir d'Applikatioun vu SiC Kraaftapparaten.