Samsung prevede di aggiornare il suo stabilimento di Xi'an in Cina alla tecnologia di processo NAND Flash impilata a 286 strati

Secondo quanto riferito, Samsung Electronics sta pianificando di aggiornare il suo stabilimento di Xi'an, in Cina, alla tecnologia di processo NAND Flash a 286 strati per far fronte all'attuale crisi del mercato e alla concorrenza sempre più agguerrita. Dal 2023, Samsung ha spinto il processo di memoria Flash NAND a 128 strati presso il suo stabilimento di Xi'an verso la tecnologia di impilamento a 236 strati. Si prevede che l’ammodernamento aumenterà significativamente la capacità produttiva dell’impianto.