Samsung планирует модернизировать свой завод в Сиане (Китай) до технологии 286-слойной стекированной флэш-памяти NAND

Сообщается, что Samsung Electronics планирует модернизировать свой завод в Сиане (Китай) и перейти на технологию 286-слойной стекированной флэш-памяти NAND, чтобы справиться с текущим рыночным спадом и все более жесткой конкуренцией. С 2023 года компания Samsung на своем заводе в Сиане переводит массовый 128-слойный процесс производства флэш-памяти NAND на технологию 236-слойной компоновки. Ожидается, что модернизация значительно увеличит производственные возможности завода.