Samsung planuje modernizację swojego zakładu w Xi’an w Chinach, aby wdrożyć technologię 286-warstwowego procesu pamięci NAND Flash

Według doniesień firma Samsung Electronics planuje modernizację swojej fabryki w Xi'an w Chinach, wprowadzając technologię 286-warstwowej pamięci NAND Flash, aby sprostać obecnemu spowolnieniu na rynku i coraz większej konkurencji. Od 2023 roku Samsung w swojej fabryce w Xi'an udoskonala technologię łączenia pamięci NAND Flash ze 128-warstwową konstrukcją stosu, zmierzając w kierunku technologii łączenia 236-warstwowej. Oczekuje się, że modernizacja znacząco zwiększy możliwości produkcyjne zakładu.