A Samsung azt tervezi, hogy kínai Xi'an-i üzemét 286 rétegű, egymásra épülő NAND Flash folyamattechnológiára fejleszti.

A Samsung Electronics állítólag azt tervezi, hogy a kínai Xi'anban található gyárát 286 rétegű, egymásra épülő NAND Flash folyamattechnológiára fejleszti, hogy megbirkózzon a jelenlegi piaci visszaeséssel és az egyre élesebb versennyel. A Samsung 2023 óta a 128 rétegű halmozott NAND Flash memória folyamatát a 236 rétegű halmozási technológia felé tolja el hsziani üzemében. A fejlesztés várhatóan jelentősen növeli az üzem termelési kapacitását.