„Samsung“ planuoja atnaujinti savo gamyklą Siane Kinijoje iki 286 sluoksnių NAND Flash proceso technologijos

Pranešama, kad „Samsung Electronics“ planuoja atnaujinti savo gamyklą Siane (Kinija) į 286 sluoksnių NAND Flash proceso technologiją, kad susidorotų su dabartiniu rinkos nuosmukiu ir vis aštrėjančia konkurencija. Nuo 2023 m. „Samsung“ stumia įprastą 128 sluoksnių NAND „Flash“ atminties procesą savo gamykloje Siane, kad būtų pritaikyta 236 sluoksnių kaupimo technologija. Tikimasi, kad atnaujinimas žymiai padidins gamyklos gamybos pajėgumus.