Samsung သည် တရုတ်နိုင်ငံရှိ ၎င်း၏ Xi'an စက်ရုံကို အလွှာ ၂၈၆ လွှာဖြင့် NAND Flash လုပ်ငန်းစဉ် နည်းပညာအဖြစ် အဆင့်မြှင့်တင်ရန် စီစဉ်နေသည်။

Samsung Electronics သည် တရုတ်နိုင်ငံ Xi'an တွင် ၎င်း၏ စက်ရုံကို ၂၈၆လွှာ အလွှာလိုက် NAND Flash လုပ်ငန်းစဉ် နည်းပညာအဖြစ် အဆင့်မြှင့်တင်ရန် စီစဉ်နေကြောင်း သတင်းရရှိပါသည်။ 2023 ခုနှစ်ကတည်းက Samsung သည် ၎င်း၏ Xi'an စက်ရုံတွင် ပင်မရေစီးကြောင်း 128-layer stacked NAND Flash memory လုပ်ငန်းစဉ်ကို 236-layer stacking နည်းပညာဆီသို့ တွန်းအားပေးခဲ့သည်။ အဆင့်မြှင့်တင်မှုသည် စက်ရုံ၏ ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို သိသိသာသာ တိုးမြှင့်နိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။