Samsung วางแผนอัปเกรดโรงงานซีอานในจีนให้ใช้เทคโนโลยีกระบวนการ NAND Flash แบบ 286 เลเยอร์

มีรายงานว่า Samsung Electronics กำลังวางแผนที่จะอัปเกรดโรงงานในเมืองซีอาน ประเทศจีน ให้ใช้เทคโนโลยีการประมวลผล NAND Flash แบบ 286 เลเยอร์ เพื่อรับมือกับภาวะตลาดตกต่ำในปัจจุบันและการแข่งขันที่รุนแรงยิ่งขึ้น ตั้งแต่ปี 2023 เป็นต้นมา Samsung ได้ผลักดันกระบวนการหน่วยความจำแฟลช NAND แบบเรียงซ้อน 128 เลเยอร์ที่เป็นกระแสหลักในโรงงานที่ซีอานไปสู่เทคโนโลยีการเรียงซ้อน 236 เลเยอร์ การอัพเกรดนี้คาดว่าจะช่วยเพิ่มความสามารถในการผลิตของโรงงานได้อย่างมาก