سامسونگ قصد دارد کارخانه شیان خود در چین را به فناوری پردازش NAND Flash انباشته شده ۲۸۶ لایه ارتقا دهد.

طبق گزارش ها، سامسونگ الکترونیکس قصد دارد کارخانه خود در شیان، چین را به فناوری پردازش NAND Flash انباشته شده ۲۸۶ لایه ارتقا دهد تا با رکود فعلی بازار و رقابت شدید فزاینده مقابله کند. از سال 2023، سامسونگ روند اصلی حافظه فلش NAND انباشته شده 128 لایه را در کارخانه شیان خود به سمت فناوری انباشتگی 236 لایه سوق داده است. انتظار می‌رود این ارتقا قابلیت‌های تولید کارخانه را به میزان قابل توجهی افزایش دهد.