Samsung გეგმავს განაახლოს თავისი Xi'an ქარხანა ჩინეთში 286-ფენიანი დაწყობილი NAND Flash პროცესის ტექნოლოგიამდე.

გავრცელებული ინფორმაციით, Samsung Electronics გეგმავს განაახლოს თავისი ქარხანა Xi'an, ჩინეთი, 286-ფენიანი დაწყობილი NAND Flash პროცესის ტექნოლოგიაზე, რათა გაუმკლავდეს მიმდინარე ბაზრის ვარდნას და მზარდი კონკურენციას. 2023 წლიდან Samsung-ი უბიძგებს 128-ფენიანი დაწყობილი NAND Flash მეხსიერების პროცესს Xi'an-ის ქარხანაში 236-ფენიანი დაწყობის ტექნოლოგიისკენ. მოსალოდნელია, რომ განახლება მნიშვნელოვნად გაზრდის ქარხნის წარმოების შესაძლებლობებს.