Samsung oreko plan omoambuévo planta Xi'an China-pe tecnología proceso NAND Flash apilado 286 capas

Ojekuaa Samsung Electronics oime planeando omohenda porã haguã fábrica Xi'an, China-pe tecnología proceso NAND Flash apilado 286 capas ombohovái haguã caída mercado ko'ágã ha competencia mbarete ohóvo. Ary 2023 guive, Samsung oempuja proceso de memoria NAND Flash apilado 128 capas principales iplanta Xi'an-pe tecnología apilamiento 236 capas gotyo. Oñeha’ãrõ ko mejora tuicha ombohetave capacidad de producción planta-pe.