WaveLoad plant bis Ende 2026 die Massenproduktion von GaN-Epitaxiewafern für Elektrofahrzeuge

WaveLoad gab vor Kurzem bekannt, dass das Unternehmen Anfang nächsten Jahres mit der Massenproduktion von Galliumnitrid-Epitaxie-Wafern beginnen werde. Die Entscheidung wurde getroffen, nachdem sie in Hwaseong in der südkoreanischen Provinz Gyeonggi einen 300 Quadratmeter großen Reinraum mit einem Reinheitsgrad von 1000 gebaut hatten. Die Anlage kann 4-Zoll- und 8-Zoll-Galliumnitrid-Epitaxie-Wafer mit einer Produktionskapazität von 2.000 bzw. 500 Wafern pro Monat herstellen. WaveLoad sendet derzeit Muster an mehrere Kunden, um die Qualität und Leistung seiner Produkte zu bewerten. Das Unternehmen plant, seine Produktlinie um einen neuen Galliumnitrid-Epitaxie-Wafer zu erweitern, der zur Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen und Systemen zur Erzeugung und Speicherung erneuerbarer Energie (ESS) eingesetzt werden soll. Sie planen, bis Ende 2026 mit der Massenproduktion dieser 8-Zoll-Epitaxie-Wafer auf Siliziumbasis zu beginnen.