WaveLoad planea producir en masa obleas epitaxiales de GaN para vehículos eléctricos a finales de 2026

WaveLoad anunció recientemente que comenzará la producción en masa de obleas epitaxiales de nitruro de galio a principios del próximo año. La decisión se tomó después de que construyeron una sala limpia de 300 metros cuadrados con un nivel de limpieza de 1000 en Hwaseong, provincia de Gyeonggi, Corea del Sur. La planta puede producir obleas epitaxiales de nitruro de galio de 4 y 8 pulgadas, con una capacidad de producción de 2.000 y 500 obleas al mes respectivamente. WaveLoad está enviando actualmente muestras a varios clientes para evaluar la calidad y el rendimiento de sus productos. La compañía planea agregar una nueva oblea epitaxial de nitruro de galio a su línea de productos, que se utilizará para la conversión de energía en vehículos eléctricos y sistemas de generación y almacenamiento de energía renovable (ESS). Planean iniciar la producción en masa de estas obleas epitaxiales de nitruro de galio basadas en silicio de 8 pulgadas a finales de 2026.