WaveLoad plangt GaN epitaxial Wafere fir elektresch Gefierer bis Enn 2026 ze produzéieren

WaveLoad huet viru kuerzem ugekënnegt datt se d'Massproduktioun vu Galliumnitrid Epitaxialwafer fréi d'nächst Joer ufänken. D'Entscheedung gouf geholl nodeems se en 300 Quadratmeter propper Zëmmer mat enger Propretéit vun 1000 zu Hwaseong, Gyeonggi Provënz, Südkorea gebaut hunn. D'Planz kann 4-Zoll an 8-Zoll Galliumnitrid Epitaxial Wafere produzéieren, mat enger Produktiounskapazitéit vun 2.000 respektiv 500 Wafere pro Mount. WaveLoad schéckt de Moment Proben u verschidde Clienten fir seng Produktqualitéit a Leeschtung ze evaluéieren. D'Firma plangt eng nei Galliumnitrid Epitaxial Wafer zu senger Produktlinn ze addéieren, déi fir Kraaftkonversioun an elektresche Gefierer an erneierbar Energie Generatioun a Späichersystemer (ESS) benotzt gëtt. Si plangen d'Massproduktioun vun dësen 8-Zoll Silizium-baséiert Galliumnitrid Epitaxial Wafere bis Enn 2026 unzefänken.