Plano ng WaveLoad na gumawa ng mass GaN epitaxial wafer para sa mga de-kuryenteng sasakyan sa pagtatapos ng 2026

Kamakailan ay inihayag ng WaveLoad na sisimulan nila ang mass production ng gallium nitride epitaxial wafers sa unang bahagi ng susunod na taon. Ang desisyon ay ginawa pagkatapos nilang magtayo ng 300-square-meter clean room na may antas ng kalinisan na 1000 sa Hwaseong, Gyeonggi Province, South Korea. Ang planta ay maaaring gumawa ng 4-inch at 8-inch gallium nitride epitaxial wafers, na may kapasidad ng produksyon na 2,000 at 500 wafers bawat buwan ayon sa pagkakabanggit. Ang WaveLoad ay kasalukuyang nagpapadala ng mga sample sa maraming customer upang suriin ang kalidad at performance ng produkto nito. Plano ng kumpanya na magdagdag ng bagong gallium nitride epitaxial wafer sa linya ng produkto nito, na gagamitin para sa conversion ng kuryente sa mga electric vehicle at renewable energy generation and storage system (ESS). Plano nilang simulan ang mass production ng mga 8-inch na silicon-based na gallium nitride epitaxial wafer na ito sa pagtatapos ng 2026.